IRL1104 |
RFQ for IRL1104 |
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| Technical/Catalog Information | IRL1104PBF |
| Vendor | International Rectifier |
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Mounting Type | Through Hole |
| FET Polarity | N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 104A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 62A, 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3445pF @ 25V |
| Power - Max | 167W |
| Packaging | Tube |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 68nC @ 4.5V |
| Package / Case | TO-220-3 (Straight Leads) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Lead Free Status | Lead Free |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Other Names | IRL1104PBF IRL1104PBF |
| Product | Manufacturers | Pack | D/C |
| IRL1104 | - | TO-220AB | `06+(pb-free) |
Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET® power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.
The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.
| Parameter |
Max. |
Units | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ID @ TC = 25°C | Continuous Drain Current, VGS @10V |
104 |
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| ID @ TC = 100°C | Continuous Drain Current, VGS @10V |
74 |
A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDM | Pulsed Drain Current |
416 |
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| PD @TC = 25°C | Power Dissipation |
167 |
W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Linear Derating Factor |
1.1 |
W/°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VGS | Gate-to-Source Voltage |
± 16 |
V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EAS | Single Pulse Avalanche Energy |
340 |
mJ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IAR | Avalanche Current |
62 |
A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EAR | Repetitive Avalanche Energy |
17 |
mJ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| dv/dt | Peak Diode Recovery dv/dt |
5.0 |
V/ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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